[发明专利]一种降低ITO薄膜红外吸收率的方法在审
| 申请号： | 202110290390.0 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113106405A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 程秀兰;李雅倩;王晓东;付学成;刘民;权雪玲 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低ITO薄膜红外吸收率的方法，包括如下步骤：基片清洗步骤：透明的优质浮法玻璃作为基底，使用丙酮在超声的环境下进行清洗；ITO薄膜制备步骤：沉积ITO薄膜，设定靶材转速、溅射功率，经过设定时间得到ITO薄膜；退火处理步骤：使用快速热处理炉对制备好的ITO薄膜进行快速热退火处理，退火后得到最终的ITO薄膜。本发明实现了低红外吸收、高透射率的ITO薄膜的制备，并且薄膜的电阻率较低。且本发明的后续的处理工艺简易、稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 ito 薄膜 红外 吸收率 方法 | ||
【主权项】：
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