[发明专利]横向偏置强度增强在审
| 申请号： | 202110279552.0 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113823330A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 毛明;C-J·钱 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;G11B5/53;G11B5/55 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开大体上涉及具有双自由层(DFL)传感器的读头。所述读头具有安置于两个屏蔽件之间的传感器。所述传感器是DFL传感器且具有在面对介质的表面(MFS)处的表面。在所述DFL传感器后方且远离所述MFS的是后硬偏置(RHB)结构。所述RHB结构也安置于所述屏蔽件之间。在所述DFL传感器与所述RHB结构之间的是绝缘材料。所述绝缘材料是多层结构。所述多层结构的第一层包括与隧道磁阻屏障层相同的材料，例如MgO，且安置成邻近于所述DFL传感器，但与所述RHB结构间隔开。所述多层结构的第二层是不同绝缘层，其安置成邻近于所述RHB结构，但与所述DFL传感器间隔开。所述多层结构有助于通过维持RHB矫顽磁性而改善面密度，而不会使头稳定性和性能可靠性降级。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 偏置 强度 增强 | ||
【主权项】：
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