[发明专利]一种星载射频功率E类放大器散热装置的制备方法有效
| 申请号： | 202110274705.2 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113141755B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡东升;彭毓川;黄琦;贾奥;孙敏;李坚;胡维昊;易建波;井实;张真源 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H05K7/20 | 分类号： | H05K7/20;H05K13/04;H05K3/00 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种星载射频功率E类放大器散热装置的制备方法，先分别制备PCB线路板、金属导热板和锡膏钢网，然后通过导热硅脂、焊锡和固定螺丝进行焊接组装，得到一种高效的高能量密度的E类放大器的散热装置，从而解决了星载应用中射频电源小型化和轻量化过程中遇到的导热及散热问题，并为整个电路提供一个更加可靠有效的地平面，降低地平面的电气阻抗，极大的降低了放大器中热量传递的热阻力，更有利于GaN芯片在星载应用中的散热，提高设备的功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率 放大器 散热 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
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