[发明专利]籽晶偏角导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶的方法有效
| 申请号： | 202110266111.7 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112981522B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 霍晓青;张胜男;王新月;王健;周金杰;周传新;李宝珠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B29/16 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 李美英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种籽晶偏角导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶的方法，采用一定角度偏转籽晶进行β相氧化镓生长的方法，利用β相氧化镓单晶生长过程中缺陷遗传性高的特点，排出β相氧化镓单晶前表面产生的缺陷，即通过氧化镓籽晶的晶向偏转，改善生长晶体的质量，提高了导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶成晶率，降低了单晶生长成本。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 偏角 导模法 生长 100 氧化 镓单晶 方法 | ||
【主权项】：
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