[发明专利]红外发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110258026.6 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113193088A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王世俊;董耀尽;张振龙 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了红外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在生长完红外发光二极管外延片中的p型AlGaAs电流扩展层之后，在p型AlGaAs电流扩展层上直接生长P型GaAsP欧姆接触层。P型GaAsP欧姆接触层与p型AlGaAs电流扩展层之间的晶格失配非常小，可以实现在p型AlGaAs电流扩展层上的良好生长，保证P型GaAsP欧姆接触层内的缺陷较少，对电流的阻挡效果较少，整体的电阻相对较低。最终得到的红外发光二极管即使在大电流情况下进行使用，红外发光二极管所产生的热量也较小，减小发热对红外发光二极管内部的零件的影响，延长红外发光二极管的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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