[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110258024.7 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113193087B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。衬底上生长非掺杂GaN层之后，生长n型GaN层之前，以及生长完n型GaN层之后，生长多量子阱层之前，在反应腔的温度为600～800℃的条件下，向反应腔分别通入时长为第一设定时长及时长为第二设定时长的氨气，以较低的温度缓解高温积累的应力，提高晶体质量。氨气与残留的一些有机金属源进行反应，减少反应腔内残留的有机金属源。保证最终得到的n型GaN层、非掺杂GaN层、多量子阱层之间界面清晰。作为基础层的非掺杂GaN层及n型GaN层及多量子阱层的质量均得到有效提高，发光二极管外延片整体的质量得到有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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