[发明专利]一种具有荷叶效应的(SiC)P有效

专利信息
申请号: 202110256815.6 申请日: 2021-03-10
公开(公告)号: CN112941494B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 宿辉 申请(专利权)人: 宿辉
主分类号: C23C18/18 分类号: C23C18/18;C23C18/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150050 黑龙江省哈尔滨*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种具有荷叶效应的(SiC)P超疏水膜层的制备方法,属于材料表面改性技术领域,在常压、常温条件下,采用简单的化学沉积方法,构筑微纳米结构,实现(SiC)P超疏水膜层的制备。制备过程包括,(SiC)P前处理,(SiC)P表面化学沉积改性和改性后(SiC)P的较长时间静置。所制膜层静态水接触角为150‑160°,滚动角小于10°,在10‑80℃均表现出良好的超疏水性。本发明使用(SiC)P为工业生产过程中产生的废料,对原料要求低且有利于资源再利用,同时具有操作简单、环境友好、设备要求低、疏水效果好等优点,便于推广。超疏水性的碳化硅颗粒,结合其耐磨、耐蚀等优良性能,将在自清洁、防冰、防雾、防污等领域得到广泛应用。
搜索关键词: 一种 具有 荷叶 效应 sic base sub
【主权项】:
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