[发明专利]碳化硅单晶生长控制装置及控制方法在审
| 申请号： | 202110248984.5 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113026094A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 林大野;王治中;蔡钦铭 | 申请（专利权）人： | 广州爱思威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 郝怀庆 |
| 地址： | 510000 广东省广州市南沙区万顷*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅单晶生长控制装置，壳体内形成有反应腔室，反应腔室内设有碳化硅籽晶置放位；加热装置设于壳体，用以控制反应腔室的内部温度；固态硅坩埚设有第一开口，以向反应腔室内释放硅蒸气，固态碳坩埚设有第二开口，以向反应腔室内通入碳蒸气；两个压力探测器分别位于固态硅坩埚和固态碳坩埚的上方，以分别监控硅蒸气和碳蒸气的的分压；控制器根据两个压力探测器的反馈，调节第一开口与第二开口的开口度。本发明还提供一种碳化硅单晶生长控制方法。本发明通过调节和控制硅蒸气和碳蒸气的分压之比，以使SiC单晶生长过程中难以控制的碳硅比例变得可控，从而提升SiC单晶的质量及纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 控制 装置 方法 | ||
【主权项】：
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