[发明专利]一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法有效
| 申请号： | 202110222528.3 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN112992865B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 霍瑞霞;吴道伟;刘万胜;李宝霞 | 申请（专利权）人： | 珠海天成先进半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法，将上下键合面设计为带有串联电路，其中上键合面同时带有可供电流导通的电极Pad，形成了可供测试键合后是否形成完好键合界面的导通路线，且这种设计分布于整张晶圆的每颗晶粒Die，通过光刻的方式实现图形的转移，使用万用表等量测设备测试串联凸点两端电阻，通过电流电阻计算公式，计算得接触电阻，通过监控接触电阻，来有效及时的监控键合工艺，确保了键合效果的及时反馈，降低因键合不良而未及时识别造成人、机、料、法等各方面的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级键合 工艺 监控 结构 方法 制备 | ||
【主权项】：
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