[发明专利]一种三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110200098.5 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN112951840B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 颜丙杰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/27;H10B43/27;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种三维存储器的制备方法，包括：设置衬底，并在在衬底上交替堆叠栅极牺牲层和层间绝缘层以形成叠层结构；在叠层结构的台阶区形成贯穿所述叠层结构并延伸至衬底的虚拟沟道孔；以及在形成有虚拟沟道孔的台阶区形成台阶结构。本申请还公开了一种三维存储器，包括：衬底；叠层结构，设置于衬底上，由栅极层和层间绝缘层交替堆叠形成，并具有台阶结构；虚拟沟道结构，位于贯穿所述台阶结构并延伸衬底的虚拟沟道孔内；以及绝缘介质层，填充所述台阶结构的远离所述衬底的上方区域，且所述绝缘介质层的上表面与所述叠层结构的上表面平齐。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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