[发明专利]双向ESD保护器件及电路在审
| 申请号： | 202110166368.5 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112510034A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘森;刘筱伟;李建平;班桂春;张均安 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 施婷婷 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双向ESD保护器件及电路，包括：位于衬底上的埋氧层，位于埋氧层上的三个N阱，设置于第一N阱内的第一PMOS管，设置于第二N阱内的第二PMOS管及设置于第三N阱内的PNP三极管；其中，各N阱通过浅沟槽隔离结构隔离，各N阱内P+注入区和N+注入区通过氧化硅埋槽隔离；第一PMOS管的源极连接输入输出端口，栅极接参考地，漏极连接PNP三极管的基极；第二PMOS管的漏极连接PNP三极管的基极，栅极连接输入输出端口，源极连接参考地；PNP三极管的发射极连接输入输出端口，集电极连接参考地。本发明采用绝缘层上硅工艺，结电容较小，器件频率快、功耗小、噪声低，具有广阔应用前景；并通过PNP三极管的栅极、衬底控制基区电势以实现触发电压的可调。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 esd 保护 器件 电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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