[发明专利]LCOS结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202110158064.4 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112965308B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 格培文;范纯圣 | 申请（专利权）人： | 豪威半导体（上海）有限责任公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/13 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201611 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LCOS结构及其形成方法，LCOS结构包括：硅基板、位于硅基板上方的液晶层和透明导电层；硅基板内形成有导电衬垫、暴露出导电衬垫的开口以及至少一层金属层；开口位于液晶层的周侧；导电衬垫的正下方不分布金属层；导电衬垫与至少一层金属层中的其中一层金属层位于同层且电连接；开口内以及硅基板与透明导电层之间的间隙填充有导电胶。透明导电层与导电衬垫通过导电胶中的金属导电粒子电连接，电信号内导引制程连接可缩减LCOS结构尺寸。导电衬垫的正下方不分布金属层，如此一来，在透明导电层与硅基板压合过程中，即使导电衬垫微损，导电衬垫的正下方不再有金属层被损伤，增强了LCOS结构的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | lcos 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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