[发明专利]一种双极型晶体管放大器在审
申请号: | 202110153677.9 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN112928998A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 甄志芳 | 申请(专利权)人: | 苏州锐度微电子技术有限公司 |
主分类号: | H03F3/14 | 分类号: | H03F3/14;G05F3/26 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 夏平;刘畅 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种双极型晶体管放大器,该放大器包括双极型晶体管放大电路、放大器输入对管虚拟镜像对管、输入对管及其镜像管偏置电流电路、虚拟镜像对管基极电流产生及镜像电路以及放大器输入对管工作点跟踪电路。放大器输入对管虚拟镜像对管的基极、集电极和发射极电压与输入级对管对应节点电压保持一致,因而可以保证二者的beta值精确匹配,不受工作电压、工艺角、温度以及输入共模等因素影响,最终可以保证输入对管虚拟镜像对管的基极电流精确等于输入对管的基极电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 双极型 晶体管 放大器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州锐度微电子技术有限公司,未经苏州锐度微电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110153677.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 其晶体管都是双极结型晶体管的功率侦测器-201910235943.5
- 简惠庆 - 立积电子股份有限公司
- 2019-03-27 - 2023-04-07 - H03F3/14
- 一种功率侦测器包含信号输入端、N个限制放大器、N个整流器以及信号输出端。N为大于1的整数。信号输入端用以接收一输入信号,而信号输出端用以输出一侦测信号。N个限制放大器根据具有不同衰减量的N个衰减信号,产生N个放大信号。每一个限制放大器接收上述N个衰减信号中的一衰减信号并输出所述N个放大信号中的一放大信号。每一个整流器接收一对应的放大信号并输出一整流信号。其中侦测信号与N个整流器所输出的N个整流信号的和有关,且该功率侦测器的所有晶体管都是双极结型晶体管。
- 一种双极型晶体管放大器-202110153677.9
- 甄志芳 - 苏州锐度微电子技术有限公司
- 2021-02-04 - 2021-06-08 - H03F3/14
- 本发明公开了一种双极型晶体管放大器,该放大器包括双极型晶体管放大电路、放大器输入对管虚拟镜像对管、输入对管及其镜像管偏置电流电路、虚拟镜像对管基极电流产生及镜像电路以及放大器输入对管工作点跟踪电路。放大器输入对管虚拟镜像对管的基极、集电极和发射极电压与输入级对管对应节点电压保持一致,因而可以保证二者的beta值精确匹配,不受工作电压、工艺角、温度以及输入共模等因素影响,最终可以保证输入对管虚拟镜像对管的基极电流精确等于输入对管的基极电流。
- 一种适用于计算机的放大模块电路-201611118179.6
- 不公告发明人 - 郑州天舜电子技术有限公司
- 2016-12-07 - 2017-02-22 - H03F3/14
- 本发明公开了一种适用于计算机的放大模块电路,包括电阻R1、电容C1、运放U1、三极管VT1、三极管VT2和电阻R11,所述电容C1一端连接输入端Vi,电容C1另一端连接电阻R1,电阻R1另一端分别连接运放U1反相端和电阻R11,运放U1同相端分别连接接地电阻R3和电阻R2,电阻R2另一端分别连接电阻R4、电阻R5、三极管VT3集电极和电源VCC。本发明首先通过运放U1对输入端Vi的输入信号先进行适当放大,再驱动后级多个三极管(VT1、VT2和VT3)进行放大工作,同时对外围电子元件进行设计,减小了电路放大过程中的非线性失真,适用于计算机等对信号线性要求较高的设备。
- 包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路-201080017947.3
- A·布拉卡勒;D·玛斯利亚 - ACCO半导体公司
- 2010-04-12 - 2012-04-11 - H03F3/14
- 提供了用于包括信号放大的多种应用的电子电路和方法。示例电子电路包括处于级联配置的MOSFET和双栅极JFET。双栅极JFET包括布置在沟道上面和下面的顶和底栅极。JFET的顶栅极由依赖于控制MOSFET的栅极的信号的信号控制。JFET的底栅极的控制可以依赖于或者独立于顶栅极的控制。MOSFET和JFET可以作为具有不同的诸如栅极宽度之类的尺寸的相同的衬底上的分离的元件来实施。
- 高增益放大器电路-200910193446.X
- 姚若河;卞振鹏 - 华南理工大学
- 2009-10-30 - 2010-06-09 - H03F3/14
- 本发明涉及一种高增益放大器电路,由一种串迭晶体管结构构成,该串迭晶体管栅极相连、源漏依次相串联,各串迭的晶体管都处在放大状态,具有很高的输出阻抗,从而具有很高的本征增益。该放大电路具有增益高,输入摆幅范围宽,栅偏置简单的特点。特别适合于增益要求高、输入摆幅大、功耗低的应用场合。
- 专利分类