[发明专利]一种氮化硅基复相导电陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 202110140908.2 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN112851365B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张伟儒;张晶;孙峰;董廷霞;李泽坤;李洪浩;徐金梦;荆赫;吕沛远 | 申请（专利权）人： | 中材高新氮化物陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵晓琳 |
| 地址： | 255000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种氮化硅基复相导电陶瓷的制备方法，本发明以氮化硅为基体，同时添加导电相以及烧结助剂，采用两步微波烧结法，制备的氮化硅基复相导电陶瓷晶粒细小且均匀、致密度高，且强度、硬度等力学性能也得到了显著提升。本发明采用的两步微波烧结法，可抑制晶界迁移，并利用晶界扩散使坯体达到致密化；因此，该方法既可以抑制烧结后期晶粒的生长，同时又不会影响致密化的进行。实施例的结果显示，本发明提供的氮化硅基复相导电陶瓷的相对密度大于99％，维氏硬度大于15GPa，断裂韧性大于6MPa·m |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 硅基复相 导电 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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