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[发明专利]氮化物球体表面缺陷检测方法、系统、电子设备及介质-CN202310558397.5在审
发明人：孙峰;张辉;王晟;董廷霞;陈友聚;李泽坤;张宝存;卜令良;肖珊珊 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司;中国建材集团有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物球体表面缺陷检测方法、系统、电子设备及介质，涉及缺陷检测技术领域。所述方法包括得到待检测陶瓷球表面的缺陷区域；对所述待检测陶瓷球表面的缺陷区域添加多个锚框；根据损失函数计算每个锚框的损失值；根据每个锚框的损失值得到待检测陶瓷球表面的缺陷结果；缺陷检测模型为以样本陶瓷球表面的图像为输入，以样本陶瓷球表面的缺陷区域对应的候选框的真实中心坐标值、真实高度、真实宽度和真实置信度为输出对YOLOv3网络进行训练得到的。本发明可提高缺陷识别的准确率。
氮化物球体表面缺陷检测方法系统电子设备介质

[发明专利]一种适用于氮化物球体表面的光学照明系统-CN202310554214.2在审
发明人：孙峰;张辉;王晟;董廷霞;陈友聚;李泽坤;张宝存;卜令良;肖珊珊 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司;中国建材集团有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于氮化物球体表面的光学照明系统，涉及陶瓷球表面缺陷检测领域，光学照明系系统的光源由同轴光源和球积分光源两种光源配合叠加构成，球积分光源向待测物体发射第一照明光线，同轴光源向待测物体发射第二照明光线，待测物体处被照明后，待测物体将第一照明光线和第二照明光线反射回去，光线依次通过球积分光源的中央开孔以及同轴光源的玻璃镜面，且玻璃镜面、中央开孔以及待测物体的中轴线保持一致，保证光路完整；同轴光源向待测物体发射的第二照明光线补充了球积分光源因中央开孔而缺失的光源，从而提高了待测物体处的照明效果。
一种适用于氮化物球体表面光学照明系统

[发明专利]一种高精度氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用-CN202111246756.0有效
发明人：张伟儒;公平;徐金梦;王文雪;孙峰;董廷霞;高翔;宋健;吕沛远 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司;中国航发哈尔滨轴承有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供了一种高精度氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用，属于陶瓷球制备技术领域。本发明解决了氮化硅陶瓷微球存在气孔、异常大晶粒、表面凹坑及雪花等缺陷，实现了氮化硅陶瓷微球的高精度制备。实施例的结果表明，本发明制备的高精度氮化硅陶瓷微球维氏硬度HV10最高达到1524kg/mm2，断裂韧性最高达到8.6MPa·m1/2，表面粗糙度0.006μm≤Ra≤0.008μm，球直径变动量0.03μm≤VDw≤0.08μm，球形误差0.03μm≤△Sph≤0.08μm，各项性能指标均符合GB/T308.2‑2010/ISO3290‑2：2008《滚动轴承珠第2部分：氮化硅陶瓷微珠》标准要求的G3级标准要求。
一种高精度氮化陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化物陶瓷基片的动态烧结方法-CN202210349584.8有效
发明人：孙峰;张晶;张伟儒;董廷霞;王再义;徐学敏;吕沛远;徐金梦;王乃健;王梅 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物陶瓷基片的动态烧结方法，属于陶瓷材料技术领域。本发明通过利用支撑块和氮化物陶瓷基片开始收缩温度和收缩率的差异，控制支撑块开始收缩温度低于或高于氮化物陶瓷基片且高度方向线收缩率高于氮化物陶瓷基片，能够实现在烧结过程中压板和基片之间从非接触到接触的动态过程，从而避免基片烧结时的变形和开裂。
一种氮化物陶瓷动态烧结方法

[发明专利]一种适用于大长径比陶瓷管的烧结模具-CN202110424240.4有效
发明人：张伟儒;李泽坤;董廷霞;徐学敏;孙峰;司尚进;李新;姜自飞;杨凯宁;王春河;郭凯 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： F27D5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于大长径比陶瓷管的烧结模具，包括内支撑、外支撑、特制涂层，本发明采用卧式烧结模式，进行烧结之前，内支撑的轴线调整至与陶瓷管成品轴线相同的位置，进行烧结时，陶瓷管坯料在烧结过程中不断收缩，在陶瓷管坯料收缩的过程中，特制涂层同样随着陶瓷管坯料的收缩而收缩，从而减小陶瓷管坯料与特制涂层之间的滑动摩擦力，提高陶瓷管坯料的受力均匀性；同时，外支撑与内支撑相配合在结构上消除重力变形对陶瓷管坯料产生的影响，从而在致密化过程前将重力变形修正，内支撑与外支撑还能够保证烧结过程中不同位置温度的均一，从而在第二次相变完成后得到尺寸及密度均一的陶瓷管成品。
一种适用于长径陶瓷烧结模具

[发明专利]一种高导热氮化硅陶瓷流延膜的制备方法及其应用-CN202110423533.0有效
发明人：张伟儒;荆赫;吕沛远;梁盼盼;张晶;袁磊;孙峰;徐学敏;董廷霞;杨厚萌 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C04B35/596 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅陶瓷流延技术领域，尤其涉及一种高导热氮化硅陶瓷流延膜的制备方法及其应用。本发明通过控制第二浆料的组成、固含量和粘度，使其仅通过均质搅拌+一次球磨便能够起到与现有技术中二次球磨相同的分散效果，时间短，效率高，同时省略了在所述高导热氮化硅陶瓷流延膜制备陶瓷基片时的流延素坯叠层工艺，符合批量化生产要求。
一种导热氮化陶瓷流延膜制备方法及其应用

[发明专利]一种高压绝缘材料及其制备方法和应用-CN202110428589.5有效
发明人：张伟儒;李洪浩;孙峰;董廷霞;白健;李新 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压绝缘材料及其制备方法和应用，属于绝缘材料技术领域。本发明以具有优异绝缘性的氮化硅材料为原料，利用绝缘性好的烧结助剂，能够减少烧结助剂对氮化硅陶瓷绝缘性的影响，从而保证材料的绝缘性能；本发明采用氮化硅陶瓷，其柱状晶粒结构和高致密度使其抗冲击性能优异；本发明通过在坯体表面涂抹氮化硼，能够隔绝烧结过程中炉体内石墨部件对坯体的渗透，从而提高材料的电阻率，进一步提高其绝缘性能。
一种高压绝缘材料及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化硅陶瓷脱水元件及其制备方法和应用-CN202011577454.7有效
发明人：张伟儒;李洪浩;孙峰;董廷霞;张峰梅;李泽坤;王春河 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷脱水元件及其制备方法和应用。本发明提供的氮化硅陶瓷脱水元件的制备方法，包括以下步骤：将氮化硅粉、氧化铝粉、氧化钇粉、氧化钛粉、聚乙二醇和水混合，得到浆料；将所述浆料进行喷雾造粒，将所得混料粉依次进行干压成型、冷等静压、排胶和烧结，得到所述氮化硅陶瓷脱水元件。在本发明中，干压有利于精准控制陶瓷素坯的尺寸，在冷等静压条件下，陶瓷素坯各方向承受均匀的压力，在尺寸可控的前提下进一步提高陶瓷素坯的密度和内部结构的均匀性。实验结果表明，采用本发明提供的制备方法制备的氮化硅陶瓷脱水元件体积密度高，力学性能优良。
一种氮化陶瓷脱水元件及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化硅基复相导电陶瓷的制备方法-CN202110140908.2有效
发明人：张伟儒;张晶;孙峰;董廷霞;李泽坤;李洪浩;徐金梦;荆赫;吕沛远 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅基复相导电陶瓷的制备方法，本发明以氮化硅为基体，同时添加导电相以及烧结助剂，采用两步微波烧结法，制备的氮化硅基复相导电陶瓷晶粒细小且均匀、致密度高，且强度、硬度等力学性能也得到了显著提升。本发明采用的两步微波烧结法，可抑制晶界迁移，并利用晶界扩散使坯体达到致密化；因此，该方法既可以抑制烧结后期晶粒的生长，同时又不会影响致密化的进行。实施例的结果显示，本发明提供的氮化硅基复相导电陶瓷的相对密度大于99％，维氏硬度大于15GPa，断裂韧性大于6MPa·m1/2，抗弯强度大于900MPa，电阻率小于1Ω·cm。
一种氮化硅基复相导电陶瓷制备方法

[发明专利]一种高导热氮化硅陶瓷绝缘板及其制备方法-CN202011559771.6有效
发明人：张伟儒;梁盼盼;荆赫;孙峰;徐学敏;董廷霞;吕沛远;何霄;徐金梦;魏文钊;丁智杰 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供了一种高导热氮化硅陶瓷绝缘板及其制备方法，属于陶瓷基板技术领域。本发明采用氧化镁作为第一烧结助剂，在烧结过程中氧化镁与原料氮化硅粉体反应生成液相，能够降低烧结温度，节约生产成本，同时还能提高氮化硅陶瓷绝缘板的致密度和抗弯强度；本发明以氧化铪作为第二烧结助剂，利用其与氧结合能力较强，在烧结过程中与原料氮化硅粉体中的杂质氧结合，消除晶格氧含量，提高氮化硅陶瓷绝缘板的热导率；本发明的第三烧结助剂在烧结过程中能够促进液相反应，与氮化硅粉体反应形成固溶体，减少晶界处的非晶相，在保证高热导率的同时提高产品抗弯强度。此外，本发明还解决了现有技术中难以制备超薄大尺寸基板的难题。
一种导热氮化陶瓷绝缘及其制备方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷球环保型精加工方法-CN202010861944.3有效
发明人：吕沛远;董廷霞;徐学敏;宋健;姜自飞;张伟儒;孙峰;荆赫;魏广富;韦志坤;段伟斌;李泽坤;刘富兵;徐金梦;张晶;李洪浩 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅陶瓷球环保型精加工方法，属于陶瓷材料加工技术领域。本发明在精加工过程中采用水基循环液代替现有的油性研磨膏，避免了油泥的产生，改善了加工环境，符合环保理念，能够简化生产流程、提高加工效率、节约加工成本、延长铸铁板的使用寿命。采用本发明的方法加工所得到的氮化硅陶瓷精磨球，加工效率、表面质量、球体尺寸精度符合本企业内部所制定的精加工卸球要求，同时，氮化硅陶瓷球球体的各项精度指标可达到国标G20级标准。
一种氮化陶瓷球环保精加工方法

[发明专利]一种氮化硅光纤结构件的制备方法-CN202110423393.7有效
发明人：张伟儒;魏文钊;孙峰;徐金梦;董廷霞;徐学敏;杨厚萌;李泽坤;郭杨;丁智杰;李洪浩;吕沛远 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种氮化硅光纤结构件的制备方法。本发明提供了一种氮化硅光纤结构件的制备方法，包括以下步骤：将二氧化钛和烧结助剂进行预混合，加入乙醇和氮化硅后进行球磨，得到料浆；将所述料浆依次进行喷雾造粒、压制和烧结，得到所述氮化硅光纤结构件；所述氮化硅光纤结构件为圆环状，单边厚度4mm，直径250mm；所述烧结助剂包括氧化铝和氧化钇。利用所述制备方法制备得到的氮化硅光纤结构件不易变性、不易开裂，且所述制备方法的成品率高，可以实现批量稳定化的生产。
一种氮化光纤结构件制备方法

[实用新型]一种G3级氮化硅陶瓷球加工用铲球板-CN202120810177.3有效
发明人：张伟儒;吕沛远;韦志坤;孙峰;董廷霞;宋健;徐学敏 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B24B11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种G3级氮化硅陶瓷球加工用铲球板，包括铲球板本体，铲球板本体的前后两侧卡接于上研磨盘的观察窗内、左右两侧与观察窗之间设置有允许陶瓷球通过的间隙，铲球板本体的上表面依次设置有坡面、平面和台阶面，铲球板本体的下表面能够与下研磨盘相抵触，坡面与铲球板本体的底面呈锐角，平面上设置有若干个凸起，台阶面低于平面。本实用新型的铲球板可以让下研磨盘中的球，经过平面上的凸起结构被均匀混合，每转一周，陶瓷球能随机进入任一沟道，提高了串沟效果，从而使所有陶瓷球基本能经过相同长度的加工路程，降低了氮化硅陶瓷球的批直径变动量；台阶使陶瓷球能够间接性进入研磨沟道，提高了陶瓷球的自转能力。
一种 g3 氮化陶瓷球工用铲球板

[实用新型]一种陶瓷微珠批量加工的装置-CN202120744136.9有效
发明人：张伟儒;徐金梦;孙峰;袁磊;马永强;董廷霞;徐学敏;吕沛远;魏文钊 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B24B27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种陶瓷微珠批量加工的装置，涉及氮化硅陶瓷微珠的加工技术领域，包括立柱、横梁、上研磨板、下研磨板、加压机构和陶瓷球存储盘；所述横梁设置于所述立柱顶部，所述加压机构设置于所述横梁下方；所述上研磨板设置于所述加压机构底部，所述下研磨板设置于所述上研磨板正下方；所述下研磨板与减速电机和研磨板变速箱传动连接；所述上研磨板一侧通过进球通道与所述陶瓷球存储盘相连通，所述下研磨板一侧通过出球通道与陶瓷球存储盘相连通；所述上研磨板和所述下研磨板之间用于放置待研磨的陶瓷微珠。解决了单批陶瓷微珠加工量小，且传统大循环装置由于陶瓷球输送路径长造成的卡球、传输效率低等问题，极大提高了加工效率。
一种陶瓷批量加工装置

[实用新型]一种用于大尺寸通孔氮化硅管净尺寸成型的模具结构-CN202023083555.7有效
发明人：张伟儒;李泽坤;董廷霞;徐学敏;孙峰;司尚进;李新;姜自飞;段伟斌;杨凯宁;王春河;郭凯 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B28B21/82 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于大尺寸通孔氮化硅管净尺寸成型的模具结构，包括刚性模、塑性模及粉料；所述刚性模包括外刚性模、内刚性模和定位刚性模，所述塑性模包括外塑性模，内塑性模及上、下塑性模；外刚性模包覆内塑性模，通过下塑性模连接内刚性模，刚性定位模连接内塑性模及内刚性模，粉料填充满刚性定位模及下塑性模及内塑性模之间的空间后取下刚性定位模，用上塑性定位模连接内塑性模及内刚性模，外塑性模连接上、下塑性模与内塑性模，解决了现在工艺生产中成型后尺寸、形位公差不一致，表面状态不均一的难题，极大地降低了后续加工及烧结的难度，提升了效率。
一种用于尺寸氮化硅管净成型模具结构

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