[发明专利]一种硅抛光片碱腐蚀工艺在审
| 申请号： | 202110138386.2 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112951710A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 史延爽;王帅;谢琼震;郭会波;白玉麟;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 薛萌萌 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅抛光片碱腐蚀工艺，顺次执行SC2药液、水洗槽、SC1‑2药液、水洗槽、KOH药液槽、QDR水洗槽、SC1‑2药液、超声水洗槽药、溢流水洗槽、甩干工序处理；其中控制KOH药液腐蚀时间为500±20s，KOH药液槽滚轴转速为10‑30转/min，KOH流量为28±5L/min，用于控制硅片的TTV。本发明所述的硅抛光片碱腐蚀工艺通过改善碱腐蚀过程中工艺参数来控制碱腐蚀过程中KOH对硅片的腐蚀速率，及KOH在硅片表面残留药液，改善硅片碱腐蚀的TTV(表面平整度)以及表面外观。相对于现有工艺，本发明可以降低碱腐产品表面沾污，有效控制TTV(表面平整度)，提高碱腐蚀产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
