[发明专利]电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法在审

专利信息
申请号: 202110088408.9 申请日: 2021-01-22
公开(公告)号: CN112927948A 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 梁海林;丁同国;孙洪福 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01G11/46 分类号: H01G11/46;H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法。其中,所述电阻仪探针位置的校正方法包括:获取一待测晶圆的缺陷图,根据缺陷图标定出待测晶圆上的多个标准测量位置,并获得各个标准测量位置的坐标值。采用电阻仪测量待测晶圆的方块电阻。再获取待测晶圆在方块电阻测量后的缺陷图,以获得各个实际测量位置的坐标值。比对各个标准测量位置与对应的实际测量位置之间的偏差,并根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。因此,本发明通过获取坐标的方式,实现探针位置偏差测量的可视化,且测量精度更高,便于精准调整所述电阻仪的位置,以实现提高获取的方块电阻的精确度。同时,本发明利用机台已有设备即可实现,成本低,操作简单。
搜索关键词: 电阻 探针 位置 校正 方法 方块 测量方法
【主权项】:
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