[发明专利]锂位掺杂改性的锂离子电池用高镍低钴三元正极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110079128.1 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112768687A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 程勇;申亚斌;尹东明;梁飞;王立民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | H01M4/525 | 分类号： | H01M4/525;H01M4/505;H01M4/485;H01M10/0525;H01M4/36 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 李外 |
| 地址： | 130000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明公开一种锂位掺杂改性的锂离子电池用高镍低钴三元正极材料及其制备方法，涉及锂离子电池正极材料技术领域。该三元正极材料是将钠盐或钾盐粉末、锂盐和高镍低钴三元正极材料前驱体混合后研磨得到的。本发明还提供一种锂位掺杂改性的锂离子电池用高镍低钴三元正极材料的制备方法。本发明采用在锂化焙烧阶段将三元材料前驱体、锂盐和钠或钾盐三者均匀混合焙烧来直接获得锂位掺杂Na或K的改性高镍低钴三元正极材料。该方法获得了均匀掺杂2％mol Na和1％mol K的LiNi |
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| 搜索关键词： | 掺杂 改性 锂离子电池 用高镍低钴 三元 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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