[发明专利]定向耦合器、处理基片的装置和处理基片的方法有效
申请号: | 202110067295.4 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN113193324B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 高桥勋;宫下大幸;长田勇辉;井上三也;芦田光利 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01P5/18 | 分类号: | H01P5/18;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供定向耦合器、处理基片的装置和处理基片的方法,能够使作为副线路的耦合线路与作为定向耦合器的主线路的中心导体疏耦合,并且得到良好的定向特性。在定向耦合器中,中空同轴线路包括构成主线路的中心导体和以包围中心导体的周围的方式设置的形成有开口部的外部导体,电介质基片以覆盖开口部的方式设置,并设置有接地的膜状的接地导体,该接地导体分别覆盖隔着上述开口部与上述中心导体相对的背面侧和与上述背面侧相反的正面侧。耦合线路是设置于由上述背面侧的上述接地导体包围的区域内设置的副线路。并且,在正面侧的上述接地导体,设置有将隔着上述电介质基片与上述耦合线路相对的区域内的导体膜的一部分去除而得的导体去除部。 | ||
搜索关键词: | 定向耦合器 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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