[发明专利]ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110055819.8 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112382572B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 杨乐;李铁生;楼颖颖;李恩求;刘琦 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法，在Si衬底片表面生长N型外延层，在外延层表面形成硬掩膜；刻蚀出深沟槽，内填硼硅玻璃BSG；将沟槽内BSG腐蚀至沟槽指定位置，进行第二层氮化硅淀积和厚氧化层淀积；沟槽内回填源极多晶硅并回刻；去除露出的厚氧化层；将沟槽内源极多晶硅刻蚀至沟槽指定位置；形成源极多晶硅氧化层，同时使硼硅玻璃BSG中硼Boron扩散至深沟槽外围的Si材料中形成P柱；去除露出的氮氧化物、薄氧化物；形成栅极氧化层,回填栅极多晶硅并回刻，形成器件的栅极；开接触孔和金属布线。本发明在暴露的硼硅玻璃上方淀积了高密度氮化硅，能有效阻止硼在后续的高温炉管工艺过程中析出。 | ||
| 搜索关键词： | ono 屏蔽 sgt 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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