[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202110053452.6 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410246B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 吉水康人 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/60 | 分类号： | H10B41/60;H10B43/10;H10B43/27;H10B41/10;H10B41/30;H10B41/27 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能够实现高集成化的半导体存储装置。半导体存储装置具备：多个第1导电层，在第1方向上排列；第1半导体层，与多个第1导电层对置；多个第1存储单元，设置于多个第1导电层与第1半导体层的交叉部；多个第2导电层，在第1方向上排列；第2半导体层，与多个第2导电层对置，在第1方向的一端与第1半导体层连接；多个第2存储单元，设置于多个第2导电层与第2半导体层的交叉部；及多个第1接触件，在第1方向上延伸，与多个第1导电层连接。在将多个第1导电层与多个第1接触件的连接部分设为多个第1连接部时，多个第1连接部在第1方向上的位置设置于第1存储单元在第1方向上的位置与第2存储单元在第1方向上的位置之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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