[发明专利]薄膜形成装置以及用于形成薄膜的自由基单元有效
申请号: | 202110040197.1 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN113151805B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 申东和;金容源 | 申请(专利权)人: | EQ泰科普勒斯株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜形成装置以及用于形成薄膜的自由基单元,根据一实施例的薄膜形成装置包括:腔室;多个气体流入部,在腔室的上部形成,接收用于自由基反应的至少两种反应气体和前体;以及自由基单元,通过使从气体流入部供给的反应气体产生反应来生成自由基,通过向下部喷射自由基和前体来在基板沉积薄膜,自由基单元由多个板形成,前体喷射路径被配置为在多个板中的顶部板中,通过比气体流入部的前体喷射路径多的多个路径分配前体后使前体从自由基单元喷射,反应气体喷射路径与前体喷射路径互不重叠。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 形成 装置 以及 用于 自由基 单元 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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