[发明专利]一种掺铒氧化镓薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110031291.0 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112921271B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李东升;何马军;庞厚玮;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;H01L31/109;H01L31/032 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺铒氧化镓薄膜及其制备方法和在发光领域的应用。该制备方法包括步骤：(1)在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用磁控溅射方法对掺铒氧化镓靶材进行溅射或者对铒靶材和氧化镓靶材进行共溅射，在预溅射至挡板至少5min后再开始在加热的衬底上溅射沉积薄膜；(2)在氧气或氮气气氛下，对步骤(1)得到的薄膜进行300℃以上的高温热处理，在激活铒的同时使氧化镓晶化，之后自然降温，得到所述掺铒氧化镓薄膜。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光、光通信等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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