[发明专利]N、S缺陷共掺杂氧还原电催化剂在审
| 申请号： | 202110028909.8 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112635778A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘福臣;郭琪 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/90 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型提出了一种利用逐步掺杂以及脱除过程来制备碳基催化剂的新型方法，可以分步地引入或脱除不同活性中心，从而对材料中的活性位种类和数量进行控制，逐步地提升材料催化性能。与其他合成方法相比，该方法简单，容易控制。N、S缺陷共掺杂缺陷碳材料具有高效的ORR催化性能，其半波电位为0.77V，研究表明缺陷与杂原子的掺杂共同促进了材料的氧还原反应性能。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 掺杂 还原 催化剂 | ||
【主权项】：
暂无信息
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