[发明专利]一种铪掺杂氧化铟薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110028416.4 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112908852A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李文武;刘劲驰;杨佳燕;高彩芳;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/24 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铪掺杂氧化铟薄膜晶体管及其制备方法，其晶体管为N型氧化铟薄膜晶体管具有底栅顶接触结构。其制备方法首先在具有二氧化硅热氧化层的重掺杂硅衬底上通过溶胶凝胶法旋涂一层铪掺杂氧化铟半导体有源层，然后在150℃的加热板上预退火10 min以蒸干溶剂，再放入290℃的加热板上退火结晶30 min，最后利用掩膜版在半导体层上镀一层60 nm左右的铝作为源极和漏极，得到了具有高偏压稳定性、低亚阈值摆幅的氧化铟晶体管。本发明提升了底栅顶接触结构的氧化铟薄膜晶体管的电学性能，优化了现有的氧化铟薄膜晶体管制备技术，与传统的氧化铟晶体管相比，该晶体管具有更高的偏压稳定性和更低的亚阈值摆幅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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