[发明专利]一种芯片测试机上利用曲线拟合方式测量芯片内阻的方法在审

专利信息
申请号: 202110025103.3 申请日: 2021-01-08
公开(公告)号: CN112834912A 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 魏津;张经祥;蒋子凡 申请(专利权)人: 胜达克半导体科技(上海)有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R27/08
代理公司: 上海专益专利代理事务所(特殊普通合伙) 31381 代理人: 方燕娜;王雯婷
地址: 201799 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,具体地说是一种芯片测试机上利用曲线拟合方式测量芯片内阻的方法。其特征在于包括如下步骤:S1,获取芯片测试机测量芯片时的电压、电流数据,并根据所述电压、电流数据绘制散点图;S2,将散点图中散点的横坐标、纵坐标带入曲线拟合公式中计算拟合公式中的参数;S3,将参数数值带入曲线拟合公式中得到电压‑电流的曲线公式;S4,根据电压‑电流的曲线公式进行曲线拟合得到拟合曲线;S5,提取步骤S4获取的拟合曲线对应的电压、电流数值计算芯片内阻。同现有技术相比,拟合后的电压‑电流曲线更贴近实际的电压‑电流变化图线,减小测量误差,提高测量精确度,并且采集数据量较小,提高了工作效率。
搜索关键词: 一种 芯片 测试 利用 曲线拟合 方式 测量 内阻 方法
【主权项】:
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