[发明专利]集成电路、DRAM电路及用于形成其的方法有效
| 申请号： | 202110012540.1 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113380805B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 石上仁志;兵头贤太郎 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;G11C11/401 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及集成电路、dram电路及用于形成其的方法。一种用于形成集成电路的方法包括形成具有导电通孔的导电线结构，导电通孔横向地处于紧邻的导电线结构之间且沿着导电线结构纵向间隔开。第一绝缘材料横向地形成于紧邻的导电通孔之间。第二绝缘材料直接形成于第一绝缘材料上方且直接形成于导电通孔上方。第二绝缘材料包括硅、碳、氮及氢。第三材料直接形成于第二绝缘材料上方。第三材料与第二绝缘材料包括相对彼此不同的组成。直接从第二绝缘材料上方去除第三材料且此后第二绝缘材料的厚度被减小。第四绝缘材料直接形成于厚度减小的第二绝缘材料上方。多个电子组件形成于第四绝缘材料上方，且通过第四绝缘材料及第二绝缘材料个别地直接电耦合到个别导电通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 dram 电路 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110012540.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置
- 下一篇：企业互联网营销系统和装置
