专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]集成电路、DRAM电路及用于形成其的方法-CN202110012540.1有效
  • 石上仁志;兵头贤太郎 - 美光科技公司
  • 2021-01-06 - 2023-10-24 - H10B12/00
  • 本申请涉及集成电路、dram电路及用于形成其的方法。一种用于形成集成电路的方法包括形成具有导电通孔的导电线结构,导电通孔横向地处于紧邻的导电线结构之间且沿着导电线结构纵向间隔开。第一绝缘材料横向地形成于紧邻的导电通孔之间。第二绝缘材料直接形成于第一绝缘材料上方且直接形成于导电通孔上方。第二绝缘材料包括硅、碳、氮及氢。第三材料直接形成于第二绝缘材料上方。第三材料与第二绝缘材料包括相对彼此不同的组成。直接从第二绝缘材料上方去除第三材料且此后第二绝缘材料的厚度被减小。第四绝缘材料直接形成于厚度减小的第二绝缘材料上方。多个电子组件形成于第四绝缘材料上方,且通过第四绝缘材料及第二绝缘材料个别地直接电耦合到个别导电通孔。
  • 集成电路dram电路用于形成方法

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