[发明专利]一种光探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种光探测器及制备方法，探测器包括WSe2薄膜材料、ZnTe薄膜材料、n‑Si基底和金属电极；所述的n‑Si基底上生长WSe2薄膜，WSe2薄膜上生长ZnTe薄膜，n‑Si基底、ZnTe薄膜表面分别生长金属电极。本发明制备的光探测器，以n型硅为基底，与集成电路工艺兼容；具有厚度薄、光响应快、可探测黄绿光到近红外波段光的优点。