[发明专利]制造太阳能电池片的方法和太阳能电池片在审

专利信息
申请号: 202011592701.0 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN112599619A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 肖俊峰;李岩;石刚 申请(专利权)人: 成都晔凡科技有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 刘迎春;张宁潇
地址: 610041 四川省成都市高新区*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种制造太阳能电池片的方法和太阳能电池片。所述方法包括如下步骤:在硅片的底表面上设置凹凸结构;在硅片的底表面上设置氧化硅层,以使得氧化硅层的底表面形成和硅片的底表面相一致的凹凸结构;沉积非晶硅层;加热非晶硅层,以使得熔融的非晶硅层固化结晶而形成掺杂多晶硅层。本发明中,通过在硅片的底表面上形成凹凸结构,能够使非晶硅层按预设的方向结晶,最终形成的掺杂多晶硅层的晶粒的晶界大多倾向于垂直于硅片的方向,形成的掺杂多晶硅层的晶粒尺寸大,载流子迁移率高。
搜索关键词: 制造 太阳能电池 方法
【主权项】:
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