[发明专利]一种具有中空结构的铁掺杂二硒化钼纳米材料及其制备方法与电催化氮还原应用在审
| 申请号： | 202011572917.0 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112663076A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 丁良鑫;滕浩;郭浩;罗荻 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25B1/27 | 分类号： | C25B1/27;C25B11/091;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有中空结构的铁掺杂二硒化钼纳米材料及其制备方法与电催化氮还原应用。该方法包括：将硒粉溶解于水合肼中；将钼盐和铁盐溶解于DMF中，得到金属盐溶液；将水合硒前驱体溶液加入金属盐溶液中，升温进行溶剂热反应，洗涤，干燥，得到该材料。所述铁掺杂二硒化钼材料为中空的、具有多孔结构的材料。将铁掺杂二硒化钼在乙醇中分散后滴涂在碳布上制备成电极，本发明提供的铁掺杂二硒化钼材料就可以应用于常温常压下电催化氮还原反应。该催化剂具有制备方法简单、比表面积大、催化活性高、稳定性优异等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 中空 结构 掺杂 二硒化钼 纳米 材料 及其 制备 方法 电催化 还原 应用 | ||
【主权项】：
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