[发明专利]版图Dense-3Bar-Dense结构的修正方法在审
申请号: | 202011562996.7 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112631068A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 邹先梅 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种版图Dense‑3Bar‑Dense结构的修正方法,包括:将版图中的Dense‑3Bar‑Dense结构选出,将Dense‑3Bar‑Dense结构中3Bar结构每根Bar的各边进行分解区分;选定出3Bar中每根Bar的各边,根据各边所处位置和版图的关键尺寸错位选择出不同长度的边段;对错位选定出来的3Bar的各个边分别进行目标图形优化处理;对进行目标图形优化处理后的版图添加曝光辅助图形。本发明在保证了Dense‑3Bar‑Dense结构的特征尺寸满足设计要求的前提下,降低了3Bar中间线的断线风险,避免了近距离的角对角的产生,并且能避免引起新的3Bar中间线断线和桥连缺陷,通过对Dense‑3Bar‑Dense结构添加曝光辅助图形,进一步提高该结构的景深。 | ||
搜索关键词: | 版图 dense bar 结构 修正 方法 | ||
【主权项】:
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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