[发明专利]一种压接型IGBT器件微动磨损失效演化的数值模拟方法有效
| 申请号： | 202011478877.3 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112597678B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李辉;姚然;王晓;刘人宽;赖伟;余越;于仁泽;何蓓 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压接型IGBT器件微动磨损失效演化的数值模拟方法，属于半导体器件领域。该建模方法包括压接型IGBT器件微动磨损失效模拟，建立含接触层微动磨损的压接型IGBT器件等效模型，通过设置接触面磨损损耗，进而模拟压接型IGBT器件微动磨损失效过程；压接型IGBT器件有限元建模，建立压接型IGBT器件结构模型，其中IGBT芯片包含铝镀层，设置微动磨损深度超过IGBT芯片表面铝镀层厚度，引起栅氧层失效作为仿真失效断点。本发明通过设置接触面磨损损耗，模拟了压接型IGBT器件在微动磨损失效动态过程中特征参数的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接型 igbt 器件 微动 磨损 失效 演化 数值 模拟 方法 | ||
【主权项】：
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