[发明专利]一种鳍式场效应晶体管中参数化单元及其实现方法有效
| 申请号： | 202011471523.6 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112507491B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 江照燿;刘学刚 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/17 | 分类号： | G06F30/17;G06Q10/04;G06T11/20;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘猛 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管中参数化单元及其实现方法，包括：提供参数化单元，所述参数化单元包括多个第一结构和多个第二结构，所述第一结构和所述第二结构为重复的结构，所述第一结构和所述第二结构的功能不同；改变所述第一结构和/或所述第二结构的图层设定，使所述第一结构的功能与所述第二结构的功能相同，和/或，使所述第二结构的功能与所述第一结构的功能相同，使所述第一结构和/或所述第二结构与其他结构形成所需的器件，从而可以实现器件的特性和器件的面积的平衡，即在最少面积的浪费下，得到最佳的器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 参数 单元 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉芯集成电路制造（济南）有限公司，未经泉芯集成电路制造（济南）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011471523.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
