[发明专利]优化电流分布的方法、装置、集成电路芯片及电子设备有效
| 申请号： | 202011462429.4 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112599521B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 冯东东;杨洋 | 申请（专利权）人： | 海光信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 余菲 |
| 地址： | 300450 天津市滨海新区华苑产*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种优化电流分布的方法、装置、集成电路芯片及电子设备，属于集成电路技术领域。该方法包括：获取用于表征芯片版图的静电释放的分析结果；基于分析结果，查找是否存在电流值大于第一预设阈值的目标通孔VIA；在存在电流值大于第一预设阈值的目标通孔VIA时，对芯片版图中的通孔VIA网络的排布进行优化，以使流经优化后的通孔VIA网络中的通孔VIA的最大电流值变小。基于表征芯片版图的静电释放的分析结果，当查找到电流值大于第一预设阈值的目标通孔VIA时，对芯片版图中的通孔VIA网络的排布进行优化，以使流经优化后的通孔VIA网络中的通孔VIA的最大电流值变小，以此改善电流在通孔VIA上分布不均衡的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 电流 分布 方法 装置 集成电路 芯片 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
