[发明专利]一种铯锡碘薄膜的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202011389563.6 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112647047B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 佘利敏;谢振杨;张伟风 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06;C23C14/58;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 475000 河南省开封市顺河区明伦*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铯锡碘薄膜的制备方法，属于半导体材料技术领域。包括以下步骤：S1、在真空条件下，将二碘化锡和碘化铯分别加热至440℃和210℃，并同时向基底沉积二碘化锡和碘化铯，冷却至室温，制得铯锡碘薄膜前驱体；其中，沉积的过程中，所述二碘化锡和碘化铯分别以0.5层/min的速率共沉积25～35min；所述基底温度为‑33～‑23℃；S2、将基底上沉积的铯锡碘薄膜前驱体在温度为100～120℃进行退火处理，即得铯锡碘薄膜。本发明提供的铯锡碘薄膜的制备方法工艺简单、薄膜质量高，特别适合用于开发高性能的无铅钙钛矿太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铯锡碘 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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