[发明专利]具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版，包括具有第一表面和第二表面的透明基板，所述透明基板的第一表面设置有掩膜层，所述掩膜层设置有纳米级图形化结构，所述透明基板的第二表面设置有光子晶体增透层；所述掩膜层的纳米级图形化结构和光子晶体增透层通过纳米压印模板压印后刻蚀得到。采用纳米压印方式制备，制作成本低，掩膜版图形化最小特征尺寸线宽可以达到纳米级，可用于制备纳米级线宽的芯片结构。其次在曝光面做了光子晶体增透层，能够提高紫外光的增透性，从而在光刻工艺中减少曝光时间，不仅提高产能，而且还延长了紫外灯部件的使用寿命，同时减少了紫外光的反射，对入射紫外光的光路均匀性具有一定的帮助。