[发明专利]C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法有效
| 申请号： | 202011362699.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112376033B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张斌;贾倩;张俊彦;杨生荣;王宏刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/06;C23C14/20;C08J7/12 |
| 代理公司： | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法，是采用真空电弧离子源，在氟硅橡胶表面依次注入C、Al，获得机械强度改善的低摩擦氟硅橡胶，氟硅橡胶的摩擦系数从0.8降低到0.25左右。本发明由于氟硅橡胶C元素的掺入能够有效提高了FVMQ机械强度、耐油性和溶胀性；Al元素的掺入能够降低FVMQ的摩擦系数，获得低摩擦补强FVMQ，对工业应用来说，本发明具有重要意义。另外，本发明采用Mevva‑5.Ru真空电弧离子源在FVMQ表面进行了双元素（C和Al）的序列注入，其操作简单，可控性强。 | ||
| 搜索关键词： | al 元素 注入 制备 摩擦 硅橡胶 表面 方法 | ||
【主权项】：
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