[发明专利]含有镂空隧道的增强型氯碱离子传导膜及制备方法在审
| 申请号： | 202011346294.5 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112481658A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张永明;张江山;雷建龙;张志浩;王玉顺;甘瑞君 | 申请（专利权）人： | 山东东岳高分子材料有限公司 |
| 主分类号： | C25B13/08 | 分类号： | C25B13/08;C25B13/02;C25B1/46;B29D7/01 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 256401*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于离子交换膜技术领域，具体涉及一种含有镂空隧道的增强型氯碱离子传导膜及制备方法。所述的含有镂空隧道的增强型氯碱离子传导膜包括由全氟磺酸聚合物层和全氟羧酸聚合物层组成的全氟离子交换膜和聚合物增强网层，全氟离子交换膜表面设有表面功能涂层，全氟磺酸聚合物层为含有镂空隧道的全氟磺酸聚合物层，聚合物增强网层部分或全部嵌入在全氟磺酸聚合物层内部。该含有镂空隧道的增强型氯碱离子传导膜在新型高电流密度条件下的零极距电解槽中运行，能使槽电压显著降低，同时也具备较好的稳定性，其制备方法，科学合理、简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 镂空 隧道 增强 型氯碱 离子 传导 制备 方法 | ||
【主权项】：
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