[发明专利]一种自偏置磁电复合材料结构及其装配方法在审

专利信息
申请号: 202011317195.4 申请日: 2020-11-23
公开(公告)号: CN112490350A 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 井文奇;杜逸飞;张涛;魏洪峰;田智立;李卓达;夏雅男;刘雷波 申请(专利权)人: 航天特种材料及工艺技术研究所
主分类号: H01L41/20 分类号: H01L41/20;H01L41/12;H01L41/47
代理公司: 北京格允知识产权代理有限公司 11609 代理人: 李亚东
地址: 100074 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及磁电复合材料结构技术领域,尤其涉及一种自偏置磁电复合材料结构及其装配方法。该自偏置磁电复合材料结构包括磁致收缩材料和压电陶瓷材料,压电陶瓷材料同轴嵌镶在磁致收缩材料的环孔内,且两者之间过盈配合,该自偏置磁电复合材料结构无需提供特定的静磁场,即可产生较强的磁电效应,且结构简单。该装配方法,先对磁致收缩材料进行加热,使其膨胀,然后再将压电陶瓷材料同轴嵌镶在所述磁致收缩材料的环孔内,能够较好、精准的实现自偏置磁电复合材料结构的装配。
搜索关键词: 一种 偏置 磁电 复合材料 结构 及其 装配 方法
【主权项】:
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