[发明专利]接触电阻的测试方法与装置有效
申请号: | 202011241123.6 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN114460368B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 杨海洋 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;臧建明 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请提供了一种接触电阻的测试方法与装置,用于测试MOS晶体管的接触电阻;上述方法包括:获取接触电阻的单位面积电阻值与电阻温度系数,根据上述单位面积电阻值、电阻温度系数以及接触电阻的面积,确定接触电阻的目标电阻值。即本申请实施例所提供的接触电阻的测试方法,在测试过程中能够根据接触电阻的电阻温度系数,对接触电阻的测量结果进行校正,可以有效消除环境温度对接触电阻的测量结果的影响,进而提升MOS晶体管的测量精确度。 | ||
搜索关键词: | 接触 电阻 测试 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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