[发明专利]接触电阻的测试方法与装置

权利要求书

1.一种接触电阻的测试方法，用于测试MOS晶体管的接触电阻，其特征在于，包括以下步骤：

获取所述接触电阻的单位面积电阻值；

获取当前检测环境的环境温度；

获取所述接触电阻在预设的多个采样温度下对应的电阻值；

根据各个采样温度与所述接触电阻在各个采样温度下对应的电阻值，确定所述接触电阻的电阻温度参数；所述电阻温度参数包括第一电阻温度参数与第二电阻温度参数；

根据预设的标准温度、所述环境温度以及所述电阻温度参数，得到所述接触电阻的电阻温度系数；

根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述接触电阻的面积确定所述接触电阻的目标电阻值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触电阻包括第一接触电阻与第二接触电阻，所述第一接触电阻与所述MOS晶体管的源极连接，所述第二接触电阻与半导体场效应晶体管的漏极连接。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的标准温度、所述环境温度以及所述电阻温度参数，得到所述接触电阻的电阻温度系数，包括：

通过以下方式得到所述接触电阻的电阻温度系数：

rconfet_temper＝1+(temper-tnom)*(tc1rcon+tc2rcon*(temper-tnom))其中，rconfet_temper表示所述电阻温度系数，temper表示所述环境温度，tnom表示所述标准温度，tc1rcon表示所述第一电阻温度参数，tc2rcon表示所述第二电阻温度参数。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述接触电阻的面积确定所述接触电阻的目标电阻值，包括：

根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述第一接触电阻的面积，确定所述第一接触电阻的第一目标电阻值；

根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述第二接触电阻的面积，确定所述第二接触电阻的第二目标电阻值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述第一接触电阻的面积，确定所述第一接触电阻的第一目标电阻值，包括：

通过以下方式确定所述第一目标电阻值：

rdc＝rconfet*rconfet_temper*1/S₁

所述根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述第二接触电阻的面积，确定所述第二接触电阻的第二目标电阻值，包括：

通过以下方式确定所述第二目标电阻值：

rsc＝rconfet*rconfet_temper*1/S₂

其中，rdc表示所述第一目标电阻值，rsc表示所述第二目标电阻值，rconfet表示所述单位面积电阻值，rconfet_temper表示所述电阻温度系数，S₁表示所述第一接触电阻的面积，S₂表示所述第二接触电阻的面积。

6.一种接触电阻的测试装置，用于测试半导体场效应晶体管的接触电阻，其特征在于，所述装置包括：

获取模块，用于获取所述接触电阻的单位面积电阻值；

所述获取模块，还用于获取当前检测环境的环境温度；获取所述接触电阻在预设的多个采样温度下对应的电阻值；根据各个采样温度与所述接触电阻在各个采样温度下对应的电阻值，确定所述接触电阻的电阻温度参数；根据预设的标准温度、所述环境温度以及所述电阻温度参数，得到所述接触电阻的电阻温度系数；所述电阻温度参数包括第一电阻温度参数与第二电阻温度参数；

处理模块，用于根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述接触电阻的面积确定所述接触电阻的目标电阻值。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述接触电阻包括第一接触电阻与第二接触电阻，所述第一接触电阻与所述半导体场效应晶体管的源极连接，所述第二接触电阻与所述半导体场效应晶体管的漏极连接。