[发明专利]一种3D晶圆环切后的定位方法在审
申请号: | 202011239336.5 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN112509960A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 李峰;杨健;张光明 | 申请(专利权)人: | 太极半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人: | 于浩江 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种3D晶圆环切后的定位方法,先对晶圆进行环切,去除晶圆外圈的厚度异常部位,再对环切后的晶圆进行两道平切,加工出一道短边和一道长边;通过物理方式对短边的一侧进行定位,通过感光传感器识别长边,进行长边一侧的定位;本方案取消了晶圆边缘的定位点,为3D晶圆的边沿的二次环切加工提出可能性;并在环切后的晶圆的边缘加工出长短边,设备镜头识别长边,同时利用另外一个短边实现物理定位,提高了可检测检查的面积,减小定位难度,结合了光学定位和物理定位的优点,提高定位精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 圆环 定位 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太极半导体(苏州)有限公司,未经太极半导体(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011239336.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种尾矿库筑坝方法
- 下一篇:一种底座及机器人基站
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造