[发明专利]利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件有效
| 申请号： | 202011167383.3 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112462470B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 唐波;张鹏;杨妍;李志华;刘若男;李彬;黄凯;谢玲;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/13;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件，该方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅衬底；在所述绝缘体上硅衬底上至少沉积一层刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成凹槽；沉积第一侧墙材料，以在所述凹槽两侧形成第一侧墙；去除所述第一侧墙两侧的刻蚀停止层；沉积第二侧墙材料，以在所述第一侧墙两侧形成第二侧墙；刻蚀去除所述第一侧墙；以第二侧墙为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅衬底。该方法采用多次侧墙转移方法形成陡直度好的光栅结构，并可远超过光刻机线宽精度。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 转移 制作 光子 器件 方法 | ||
【主权项】：
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