[发明专利]红外焦平面探测器芯片及其制备方法有效
申请号: | 202011087144.7 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN112216710B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京智创芯源科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J5/20 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;金淼 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种红外焦平面探测器芯片及其制备方法,所述红外焦平面探测器芯片包括位于所述衬底表面内或表面上的呈阵列排列的若干第二导电类型掺杂区;其中,各个所述掺杂区的尺寸沿所述掺杂区阵列中心至所述掺杂区阵列边缘的方向逐渐增大;位于所述掺杂区上方且覆盖所述掺杂区表面和所述衬底表面的介质膜层;位于所述介质膜层上方且设置于所述掺杂区对应位置处的第一电极金属层;其中,所述第一电极金属层通过第一接触孔与其对应的所述掺杂区形成欧姆接触,以构成光敏元。在保证探测器芯片性能的基础上,只通过适当改变掺杂区尺寸(光敏元尺寸),实现探测器芯片边缘与中心区域各光敏元的响应信号基本保持一致,可有效提升红外探测器响应均匀性。 | ||
搜索关键词: | 红外 平面 探测器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京智创芯源科技有限公司,未经北京智创芯源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011087144.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的