[发明专利]冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202011072519.2 申请日: 2020-10-09
公开(公告)号: CN112216797B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 万中全;杨进宇;罗军生;贾春阳 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种冠醚类材料掺杂Spiro‑OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用,属于太阳能电池技术领域。所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的Spiro‑OMeTAD,其中,冠醚类材料与Spiro‑OMeTAD的摩尔比为(0.0003~0.0093):1。本发明提供的空穴传输层,与未掺杂的空穴传输层相比,冠醚类材料能够与Li+形成大环螯合结构,促进Li‑TFSI在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中的溶解,能够有效阻止Li‑TFSI的聚集;此外,这样的螯合结构能够有效改善Li‑TFSI的吸湿性以及有效抑制Li+迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层;同时,工艺简单,制备的太阳能电池在保持光电转换效率的同时稳定性大大提升。
搜索关键词: 冠醚类 材料 掺杂 spiro ometad 空穴 传输 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011072519.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top