[发明专利]多层晶圆键合方法在审
| 申请号： | 202011056815.3 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112201574A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 陈俊宇;叶国梁;曾甜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种多层晶圆键合方法。该方法包括提供第一待键合晶圆，第一待键合晶圆包括第一衬底、位于第一衬底的一侧表面的第一介质层、嵌设于第一介质层中的第一金属层以及第一键合垫；在第一介质层远离第一衬底的一侧表面形成第一保护层，以覆盖第一键合垫；将第一待键合晶圆与第一载片晶圆键合，且第一保护层位于第一介质层与第一载片晶圆之间；在第一衬底远离第一介质层的一侧表面形成第二介质层与第二键合垫；通过第二键合垫将第一待键合晶圆与一底晶圆键合；去除第一载片晶圆及第一保护层，使第一键合垫暴露；以及通过第一键合垫将第一待键合晶圆与一第二待键合晶圆键合。该方法能够防止键合垫被键合胶污染，同时在去除键合胶的过程中，能够防止键合垫被损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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