[发明专利]一种研磨后晶片的清洗方法在审
| 申请号： | 202011052657.4 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112452906A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 周一;毕洪伟 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/10;B08B3/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种研磨后晶片的清洗方法，涉及半导体材料技术领域。本发明的一种研磨后晶片的清洗方法，所述清洗方法是将晶片经过金属清洗剂清洗完成后，再先后分别使用碱溶液和酸溶液各清洗一次，具体为：将研磨后的晶片表面用去离子水冲洗干净，置于金属清洗剂溶液中，不断抖动晶片，清洗完成后，取出用去离子水冲洗干净后，置于碱溶液中进行第二次清洗，清洗完成后，用去离子水进行冲洗2‑3min，置于酸溶液中进行第三次清洗，清洗完成后，用去离子水冲洗干净，即可进入下一工序。本发明公开了一种研磨后晶片的清洗方法，在晶片腐蚀前，能够有效去除晶片表面的研磨液杂质等附着物，增加晶片表面的洁净度，进而提高腐蚀时晶片掉量的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 研磨 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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