[发明专利]具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(VCSEL)有效
| 申请号： | 202011048141.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112615255B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 黄朝兴;金宇中;戴文长 | 申请（专利权）人： | 全新光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(VCSEL)，在VCSEL中设置高掺杂浓度的穿隧接面层，其中通过使穿隧接面层的N型穿隧接面层相对于基板具有应力以及掺杂至少一元素，而使穿隧接面层不仅具有高掺杂浓度，且在后续的氧化处理时，外延层不但能被氧化且氧化速率较稳定；或者，N型穿隧接面层掺杂至少两种元素。借此，VCSEL不但能稳定进行氧化制程，且高掺杂浓度的穿隧接面层的电阻小，适合设置在VCSEL的两主动层之间或P型半导体层与N型半导体层之间；N型穿隧接面层也适合作为欧姆接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿隧接 面层 垂直 激光 发射器 vcsel | ||
【主权项】：
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