[发明专利]掩模坯及光掩模在审
| 申请号： | 202011031340.2 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112578629A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 江成雄一;望月圣;浅见智史 | 申请（专利权）人： | 爱发科成膜株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/46 | 分类号： | G03F1/46;G03F1/54;G03F1/56 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 辛雪花;周艳玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种掩模坯及光掩模，所述掩模坯具有成为光掩模的掩模层。所述掩模坯的反射率低且具有规定的光密度，能够使遮光层的蚀刻速率与防反射层的蚀刻速率接近，并且能够实现降低上檐及下摆的适当的剖面形状。所述掩模层具有：下部防反射层，层压于透明基板；遮光层，设置在比所述下部防反射层更远离所述透明基板的位置上；和上部防反射层，设置在比所述遮光层更远离所述透明基板的位置上。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模坯 光掩模 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
